HFS830F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HFS830F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFS830F

HFS830F Datasheet (PDF)

..1. Size:637K semihow
hfp830f hfs830f.pdf

May 2016 HFP830F / HFS830F 500V N-Channel MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Originative New Design BVDSS 500 V Very Low Intrinsic Capacitances ID 5 A Excellent Switching Characteristics RDS(on), Typ 1.2 100% Avalanche Tested Qg, Typ 12 nC RoHS Compliant HFP830F HFS830F Symbol TO-220 TO-220F S S D D G G Absolute Ma

8.1. Size:181K semihow
hfs830.pdf

Dec 2005BVDSS = 500 VRDS(on) typ HFS830ID = 4.5 A500V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 18 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lowe

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Liste

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