HFS830F Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFS830F  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO220F

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HFS830F datasheet

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HFS830F

May 2016 HFP830F / HFS830F 500V N-Channel MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Originative New Design BVDSS 500 V Very Low Intrinsic Capacitances ID 5 A Excellent Switching Characteristics RDS(on), Typ 1.2 100% Avalanche Tested Qg, Typ 12 nC RoHS Compliant HFP830F HFS830F Symbol TO-220 TO-220F S S D D G G Absolute Ma

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HFS830F

Dec 2005 BVDSS = 500 V RDS(on) typ HFS830 ID = 4.5 A 500V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 18 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lowe

Otros transistores... HFS4N60FS, HFS50N06A, HFS5N60F, HFS5N65JS, HFS5N65SA, HFS730F, HFS730S, HFS7N80A, 60N06, HFS8N60UA, HFS8N65JS, HFS8N65SA, HFS9N90A, HFT1N60F, HFU1N60F, HFU1N60S, HFU1N60SA