HFS830F Todos los transistores

 

HFS830F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFS830F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de HFS830F MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HFS830F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:637K  semihow
 hfp830f hfs830f.pdf pdf_icon

HFS830F

May 2016 HFP830F / HFS830F 500V N-Channel MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Originative New Design BVDSS 500 V Very Low Intrinsic Capacitances ID 5 A Excellent Switching Characteristics RDS(on), Typ 1.2 100% Avalanche Tested Qg, Typ 12 nC RoHS Compliant HFP830F HFS830F Symbol TO-220 TO-220F S S D D G G Absolute Ma

 8.1. Size:181K  semihow
 hfs830.pdf pdf_icon

HFS830F

Dec 2005BVDSS = 500 VRDS(on) typ HFS830ID = 4.5 A500V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 18 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lowe

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXFH42N20 | MSF8N60

 

 
Back to Top

 


 
.