Справочник MOSFET. HFS830F

 

HFS830F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFS830F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для HFS830F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS830F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:637K  semihow
 hfp830f hfs830f.pdf pdf_icon

HFS830F

May 2016 HFP830F / HFS830F 500V N-Channel MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Originative New Design BVDSS 500 V Very Low Intrinsic Capacitances ID 5 A Excellent Switching Characteristics RDS(on), Typ 1.2 100% Avalanche Tested Qg, Typ 12 nC RoHS Compliant HFP830F HFS830F Symbol TO-220 TO-220F S S D D G G Absolute Ma

 8.1. Size:181K  semihow
 hfs830.pdf pdf_icon

HFS830F

Dec 2005BVDSS = 500 VRDS(on) typ HFS830ID = 4.5 A500V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 18 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lowe

Другие MOSFET... HFS4N60FS , HFS50N06A , HFS5N60F , HFS5N65JS , HFS5N65SA , HFS730F , HFS730S , HFS7N80A , AO4468 , HFS8N60UA , HFS8N65JS , HFS8N65SA , HFS9N90A , HFT1N60F , HFU1N60F , HFU1N60S , HFU1N60SA .

History: IXTV22N50P | FQPF6N80T | STD80N10F7 | STP4NA80 | STE36N50-DA | CPH6337 | BRD18P06

 

 
Back to Top

 


 
.