HFU4N50 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFU4N50  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm

Encapsulados: IPAK

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HFU4N50 datasheet

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HFU4N50

July 2005 BVDSS = 500 V RDS(on) typ HFD4N50 / HFU4N50 ID = 2.6 A 500V N-Channel MOSFET D-PAK I-PAK 2 FEATURES 1 1 3 2 3 Originative New Design HFD4N50 HFU4N50 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 13 nC (Typ.

Otros transistores... HFS9N90A, HFT1N60F, HFU1N60F, HFU1N60S, HFU1N60SA, HFU2N60F, HFU2N60S, HFU2N60U, IRFP460, HFU5N40, HFU5N50S, HFU5N50U, HFU5N60F, HFU5N60S, HFU5N60U, HFU5N65SA, HFW50N06A