HFU4N50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HFU4N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 13 nC
Время нарастания (tr): 70 ns
Выходная емкость (Cd): 70 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.7 Ohm
Тип корпуса: IPAK
HFU4N50 Datasheet (PDF)
..1. Size:238K semihow
hfd4n50 hfu4n50.pdf
hfd4n50 hfu4n50.pdf
July 2005BVDSS = 500 VRDS(on) typ HFD4N50 / HFU4N50ID = 2.6 A500V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAK2FEATURES113 23 Originative New DesignHFD4N50 HFU4N50 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 13 nC (Typ.
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
