Справочник MOSFET. HFU4N50

 

HFU4N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFU4N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   trⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HFU4N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  semihow
 hfd4n50 hfu4n50.pdf pdf_icon

HFU4N50

July 2005BVDSS = 500 VRDS(on) typ HFD4N50 / HFU4N50ID = 2.6 A500V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAK2FEATURES113 23 Originative New DesignHFD4N50 HFU4N50 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 13 nC (Typ.

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SMN09L20D | SMP3003-DL-1E

 

 
Back to Top

 


 
.