Справочник MOSFET. HFU4N50

 

HFU4N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFU4N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для HFU4N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFU4N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  semihow
 hfd4n50 hfu4n50.pdf pdf_icon

HFU4N50

July 2005BVDSS = 500 VRDS(on) typ HFD4N50 / HFU4N50ID = 2.6 A500V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAK2FEATURES113 23 Originative New DesignHFD4N50 HFU4N50 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 13 nC (Typ.

Другие MOSFET... HFS9N90A , HFT1N60F , HFU1N60F , HFU1N60S , HFU1N60SA , HFU2N60F , HFU2N60S , HFU2N60U , IRF640 , HFU5N40 , HFU5N50S , HFU5N50U , HFU5N60F , HFU5N60S , HFU5N60U , HFU5N65SA , HFW50N06A .

History: IRF9612 | AM4410N | IRF9540

 

 
Back to Top

 


 
.