HFW50N06A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HFW50N06A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 120 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 27 nC
   Tiempo de subida (tr): 105 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 445 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

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HFW50N06A Datasheet (PDF)

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Nov 2009BVDSS = 60 VRDS(on) = 18 mHFW50N06 / HFI50N06ID = 50 A60V N-Channel MOSFETD2-PAK I2-PAKFEATURES Originative New DesignHFW50N06 HFI50N06 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 40 nC (Typ.) Extended Safe Operati

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Liste

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