HFW50N06A - аналоги и даташиты транзистора

 

HFW50N06A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HFW50N06A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 445 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для HFW50N06A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFW50N06A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:418K  semihow
 hfi50n06a hfw50n06a.pdf pdf_icon

HFW50N06A

Oct 2016HFI50N06A / HFW50N06A60V N-Channel MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Superior Avalanche Rugged TechnologyBVDSS 60 V Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic CapacitancesID 50 A Excellent Switching CharacteristicsRDS(on), Typ 18 100% Avalanche TestedQg, Typ 27 nC RoHS CompliantHFI50N06A HFW50N06ASymbolTO-262 TO-263DS

 6.1. Size:237K  semihow
 hfi50n06 hfw50n06.pdf pdf_icon

HFW50N06A

Nov 2009BVDSS = 60 VRDS(on) = 18 mHFW50N06 / HFI50N06ID = 50 A60V N-Channel MOSFETD2-PAK I2-PAKFEATURES Originative New DesignHFW50N06 HFI50N06 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 40 nC (Typ.) Extended Safe Operati

Другие MOSFET... HFU4N50 , HFU5N40 , HFU5N50S , HFU5N50U , HFU5N60F , HFU5N60S , HFU5N60U , HFU5N65SA , IRFB4227 , HFW840 , HRA40N08K , HRA45N08K , HRD120N10K , HRD180N10K , HRD50N06K , HRD72N06K , HRD80N06K .

 

 
Back to Top

 


 
.