HFW50N06A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HFW50N06A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 445 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для HFW50N06A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFW50N06A даташит

 ..1. Size:418K  semihow
 hfi50n06a hfw50n06a.pdf pdf_icon

HFW50N06A

Oct 2016 HFI50N06A / HFW50N06A 60V N-Channel MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Superior Avalanche Rugged Technology BVDSS 60 V Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances ID 50 A Excellent Switching Characteristics RDS(on), Typ 18 100% Avalanche Tested Qg, Typ 27 nC RoHS Compliant HFI50N06A HFW50N06A Symbol TO-262 TO-263 D S

 6.1. Size:237K  semihow
 hfi50n06 hfw50n06.pdf pdf_icon

HFW50N06A

Nov 2009 BVDSS = 60 V RDS(on) = 18 m HFW50N06 / HFI50N06 ID = 50 A 60V N-Channel MOSFET D2-PAK I2-PAK FEATURES Originative New Design HFW50N06 HFI50N06 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 40 nC (Typ.) Extended Safe Operati

Другие IGBT... HFU4N50, HFU5N40, HFU5N50S, HFU5N50U, HFU5N60F, HFU5N60S, HFU5N60U, HFU5N65SA, AO3400, HFW840, HRA40N08K, HRA45N08K, HRD120N10K, HRD180N10K, HRD50N06K, HRD72N06K, HRD80N06K