HFW840 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFW840  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 135 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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HFW840 datasheet

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HFW840

April 2016 BVDSS = 500 V RDS(on) typ HFW840 ID = 9.0 A 500V N-Channel MOSFET D2-PAK 2 FEATURES Originative New Design 1 Superior Avalanche Rugged Technology 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 25 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo

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