HFW840 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HFW840
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для HFW840
HFW840 Datasheet (PDF)
hfw840.pdf

April 2016BVDSS = 500 VRDS(on) typ HFW840 ID = 9.0 A500V N-Channel MOSFETD2-PAK2FEATURES Originative New Design1 Superior Avalanche Rugged Technology31.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 25 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo
Другие MOSFET... HFU5N40 , HFU5N50S , HFU5N50U , HFU5N60F , HFU5N60S , HFU5N60U , HFU5N65SA , HFW50N06A , AON6414A , HRA40N08K , HRA45N08K , HRD120N10K , HRD180N10K , HRD50N06K , HRD72N06K , HRD80N06K , HRD85N08K .
History: SE2102M | AP02N40P | IRF6810S | AP9561GJ-HF | 2SK3497 | VBI1101M | VS4640DE
History: SE2102M | AP02N40P | IRF6810S | AP9561GJ-HF | 2SK3497 | VBI1101M | VS4640DE



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc1312 datasheet | 2sb647 | k3561 transistor | c3203 transistor | irfp450 equivalent | 2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor