Справочник MOSFET. HFW840

 

HFW840 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFW840
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для HFW840

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFW840 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:316K  semihow
 hfw840.pdf pdf_icon

HFW840

April 2016BVDSS = 500 VRDS(on) typ HFW840 ID = 9.0 A500V N-Channel MOSFETD2-PAK2FEATURES Originative New Design1 Superior Avalanche Rugged Technology31.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 25 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo

Другие MOSFET... HFU5N40 , HFU5N50S , HFU5N50U , HFU5N60F , HFU5N60S , HFU5N60U , HFU5N65SA , HFW50N06A , AON6414A , HRA40N08K , HRA45N08K , HRD120N10K , HRD180N10K , HRD50N06K , HRD72N06K , HRD80N06K , HRD85N08K .

History: APQ39SN04AA

 

 
Back to Top

 


 
.