HFW840 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HFW840  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для HFW840

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFW840 даташит

 ..1. Size:316K  semihow
 hfw840.pdf pdf_icon

HFW840

April 2016 BVDSS = 500 V RDS(on) typ HFW840 ID = 9.0 A 500V N-Channel MOSFET D2-PAK 2 FEATURES Originative New Design 1 Superior Avalanche Rugged Technology 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 25 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo

Другие IGBT... HFU5N40, HFU5N50S, HFU5N50U, HFU5N60F, HFU5N60S, HFU5N60U, HFU5N65SA, HFW50N06A, IRFB4227, HRA40N08K, HRA45N08K, HRD120N10K, HRD180N10K, HRD50N06K, HRD72N06K, HRD80N06K, HRD85N08K