HRD50N06K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HRD50N06K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de HRD50N06K MOSFET
HRD50N06K Datasheet (PDF)
hrd50n06k hru50n06k.pdf

Sep 2015BVDSS = 60 VRDS(on) typ HRD50N06K / HRU50N06K ID = 40 A60V N-Channel Trench MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHRD50N06K HRU50N06K Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 40 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 11.
Otros transistores... HFU5N60U , HFU5N65SA , HFW50N06A , HFW840 , HRA40N08K , HRA45N08K , HRD120N10K , HRD180N10K , IRF9540 , HRD72N06K , HRD80N06K , HRD85N08K , HRF120N10K , HRF130N06K , HRF140N06K , HRF85N08K , HRLD125N06K .
History: CEP15A03 | SVS7N65SD2TR | STP12NK60Z | ELM24603HA | QM0008G | IPD220N06L3G | IPD50N04S4-08
History: CEP15A03 | SVS7N65SD2TR | STP12NK60Z | ELM24603HA | QM0008G | IPD220N06L3G | IPD50N04S4-08



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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