Справочник MOSFET. HRD50N06K

 

HRD50N06K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HRD50N06K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HRD50N06K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  semihow
 hrd50n06k hru50n06k.pdf pdf_icon

HRD50N06K

Sep 2015BVDSS = 60 VRDS(on) typ HRD50N06K / HRU50N06K ID = 40 A60V N-Channel Trench MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHRD50N06K HRU50N06K Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 40 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 11.

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: GKI03039 | AP4604IN | 2SK1637 | 2SK1471 | STD14NM50N | IRLSZ34A | IRL8113LPBF

 

 
Back to Top

 


 
.