Справочник MOSFET. HRD50N06K

 

HRD50N06K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HRD50N06K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для HRD50N06K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRD50N06K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  semihow
 hrd50n06k hru50n06k.pdf pdf_icon

HRD50N06K

Sep 2015BVDSS = 60 VRDS(on) typ HRD50N06K / HRU50N06K ID = 40 A60V N-Channel Trench MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHRD50N06K HRU50N06K Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 40 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 11.

Другие MOSFET... HFU5N60U , HFU5N65SA , HFW50N06A , HFW840 , HRA40N08K , HRA45N08K , HRD120N10K , HRD180N10K , IRF9540 , HRD72N06K , HRD80N06K , HRD85N08K , HRF120N10K , HRF130N06K , HRF140N06K , HRF85N08K , HRLD125N06K .

History: CMRDM3590 | PSMN5R0-100PS

 

 
Back to Top

 


 
.