HRD85N08K Todos los transistores

 

HRD85N08K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HRD85N08K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

HRD85N08K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:805K  semihow
 hrd85n08k.pdf pdf_icon

HRD85N08K

March 2018 HRD85N08K 80V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design Reliable and Rugged BVDSS 80 V Advanced Trench Process Technology ID (Silicon Limited) 110 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ 7 m Application Package & Internal Circuit Power Management in Inverter System D-PAK Sy

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: 2SK330 | TK4P60D | ATP107 | ME2606 | AP8600P | SM2030NSU | NTD65N03R-035

 

 
Back to Top

 


 
.