HRD85N08K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HRD85N08K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 200 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 110 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.8 V
Carga de la puerta (Qg): 75 nC
Tiempo de subida (tr): 65 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 440 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0085 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
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HRD85N08K Datasheet (PDF)
hrd85n08k.pdf
March 2018 HRD85N08K 80V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design Reliable and Rugged BVDSS 80 V Advanced Trench Process Technology ID (Silicon Limited) 110 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ 7 m Application Package & Internal Circuit Power Management in Inverter System D-PAK Sy
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