Справочник MOSFET. HRD85N08K

 

HRD85N08K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HRD85N08K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для HRD85N08K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRD85N08K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:805K  semihow
 hrd85n08k.pdf pdf_icon

HRD85N08K

March 2018 HRD85N08K 80V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design Reliable and Rugged BVDSS 80 V Advanced Trench Process Technology ID (Silicon Limited) 110 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ 7 m Application Package & Internal Circuit Power Management in Inverter System D-PAK Sy

Другие MOSFET... HFW840 , HRA40N08K , HRA45N08K , HRD120N10K , HRD180N10K , HRD50N06K , HRD72N06K , HRD80N06K , STP75NF75 , HRF120N10K , HRF130N06K , HRF140N06K , HRF85N08K , HRLD125N06K , HRLD150N10K , HRLD1B8N10K , HRLD250N10K .

History: NCE30P25Q | SIR866DP | RU30D10H | SIR838DP | 2SK696 | VSP0R8N04HS-G | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.