HRF120N10K Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HRF120N10K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: 8DFN5X6

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HRF120N10K datasheet

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HRF120N10K

May 2017 HRF120N10K 100V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design Reliable and Rugged BVDSS 100 V Advanced Trench Process Technology ID 60 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ 10 m Lead free, Halogen Free Application Package & Internal Circuit Power Management in Inverter System 8

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