HRF120N10K Todos los transistores

 

HRF120N10K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HRF120N10K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: 8DFN5X6
 

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HRF120N10K Datasheet (PDF)

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HRF120N10K

May 2017 HRF120N10K 100V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design Reliable and Rugged BVDSS 100 V Advanced Trench Process Technology ID 60 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ 10 m Lead free, Halogen Free Application Package & Internal Circuit Power Management in Inverter System 8

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