HRF120N10K - аналоги и даташиты транзистора

 

HRF120N10K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HRF120N10K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: 8DFN5X6
 

 Аналог (замена) для HRF120N10K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRF120N10K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:523K  semihow
 hrf120n10k.pdf pdf_icon

HRF120N10K

May 2017 HRF120N10K 100V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design Reliable and Rugged BVDSS 100 V Advanced Trench Process Technology ID 60 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ 10 m Lead free, Halogen Free Application Package & Internal Circuit Power Management in Inverter System 8

Другие MOSFET... HRA40N08K , HRA45N08K , HRD120N10K , HRD180N10K , HRD50N06K , HRD72N06K , HRD80N06K , HRD85N08K , AON7408 , HRF130N06K , HRF140N06K , HRF85N08K , HRLD125N06K , HRLD150N10K , HRLD1B8N10K , HRLD250N10K , HRLD33N03K .

History: 2N65G-TF3T-T | P1160JD | STU35L01A | FDB86135 | AONR20485 | BXL4004-1E | NCEAP40T15AGU

 

 
Back to Top

 


 
.