HRF140N06K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HRF140N06K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
Paquete / Cubierta: 8DFN5X6
Búsqueda de reemplazo de HRF140N06K MOSFET
HRF140N06K Datasheet (PDF)
hrf140n06k.pdf
Jan 2016HRF140N06K60V N-Channel Trench MOSFET8DFN 5x6FEATURES BVDSS = 60 V ID = 40 A1 Unrivalled Gate Charge : 40 nC (Typ.) Lower RDS(ON) : 11.5 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche TestedAbsolute Maximum Ratings TJ=25 unless otherwise specifiedSymbol Parameter Value UnitsVDSS Drain-Source Voltage 60 VVGS Gate-Source Voltage 20 VTC = 25 40 AID Drain Current TC
Otros transistores... HRD120N10K , HRD180N10K , HRD50N06K , HRD72N06K , HRD80N06K , HRD85N08K , HRF120N10K , HRF130N06K , IRF9540 , HRF85N08K , HRLD125N06K , HRLD150N10K , HRLD1B8N10K , HRLD250N10K , HRLD33N03K , HRLD370N10K , HRLD40N04K .
History: MPSP65M650 | FDH15N50 | HRS140N06K | CS2N60I | HM2P10R | CS4N60A3TDY
History: MPSP65M650 | FDH15N50 | HRS140N06K | CS2N60I | HM2P10R | CS4N60A3TDY
Liste
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