Справочник MOSFET. HRF140N06K

 

HRF140N06K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HRF140N06K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: 8DFN5X6
 

 Аналог (замена) для HRF140N06K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRF140N06K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  semihow
 hrf140n06k.pdf pdf_icon

HRF140N06K

Jan 2016HRF140N06K60V N-Channel Trench MOSFET8DFN 5x6FEATURES BVDSS = 60 V ID = 40 A1 Unrivalled Gate Charge : 40 nC (Typ.) Lower RDS(ON) : 11.5 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche TestedAbsolute Maximum Ratings TJ=25 unless otherwise specifiedSymbol Parameter Value UnitsVDSS Drain-Source Voltage 60 VVGS Gate-Source Voltage 20 VTC = 25 40 AID Drain Current TC

Другие MOSFET... HRD120N10K , HRD180N10K , HRD50N06K , HRD72N06K , HRD80N06K , HRD85N08K , HRF120N10K , HRF130N06K , K3569 , HRF85N08K , HRLD125N06K , HRLD150N10K , HRLD1B8N10K , HRLD250N10K , HRLD33N03K , HRLD370N10K , HRLD40N04K .

History: HFP15N06 | GSM4900W | 7N80L-TQ2-R | FQP70N08 | APT10030L2VFR | RUH30J95M | IPD70P04P4-09

 

 
Back to Top

 


 
.