HRF140N06K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HRF140N06K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: 8DFN5X6
Аналог (замена) для HRF140N06K
HRF140N06K Datasheet (PDF)
hrf140n06k.pdf
Jan 2016HRF140N06K60V N-Channel Trench MOSFET8DFN 5x6FEATURES BVDSS = 60 V ID = 40 A1 Unrivalled Gate Charge : 40 nC (Typ.) Lower RDS(ON) : 11.5 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche TestedAbsolute Maximum Ratings TJ=25 unless otherwise specifiedSymbol Parameter Value UnitsVDSS Drain-Source Voltage 60 VVGS Gate-Source Voltage 20 VTC = 25 40 AID Drain Current TC
Другие MOSFET... HRD120N10K , HRD180N10K , HRD50N06K , HRD72N06K , HRD80N06K , HRD85N08K , HRF120N10K , HRF130N06K , IRF9540 , HRF85N08K , HRLD125N06K , HRLD150N10K , HRLD1B8N10K , HRLD250N10K , HRLD33N03K , HRLD370N10K , HRLD40N04K .
History: HM2P10R | HRS140N06K | CS2N60I | MPSP65M650 | FDH15N50 | CS4N60A3TDY
History: HM2P10R | HRS140N06K | CS2N60I | MPSP65M650 | FDH15N50 | CS4N60A3TDY
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
2sc3281 datasheet | 2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet | 2sc1080 | 2sb618


