HRF140N06K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRF140N06K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: 8DFN5X6

Аналог (замена) для HRF140N06K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRF140N06K даташит

 ..1. Size:180K  semihow
 hrf140n06k.pdf pdf_icon

HRF140N06K

Jan 2016 HRF140N06K 60V N-Channel Trench MOSFET 8DFN 5x6 FEATURES BVDSS = 60 V ID = 40 A 1 Unrivalled Gate Charge 40 nC (Typ.) Lower RDS(ON) 11.5 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche Tested Absolute Maximum Ratings TJ=25 unless otherwise specified Symbol Parameter Value Units VDSS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 40 A ID Drain Current TC

Другие IGBT... HRD120N10K, HRD180N10K, HRD50N06K, HRD72N06K, HRD80N06K, HRD85N08K, HRF120N10K, HRF130N06K, IRF9540, HRF85N08K, HRLD125N06K, HRLD150N10K, HRLD1B8N10K, HRLD250N10K, HRLD33N03K, HRLD370N10K, HRLD40N04K