HRLD40N04K Todos los transistores

 

HRLD40N04K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HRLD40N04K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 620 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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HRLD40N04K Datasheet (PDF)

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HRLD40N04K

March 2018 HRLD40N04K 40V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit High Dense Cell Design, Logic Level BVDSS 40 V Reliable and Rugged ID (Silicon Limited) 130 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 3.3 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ @4.5V 4.0 m Application Package & Internal Circuit

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History: SM7A23NSF | SWF7N65K

 

 
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