HRLD40N04K Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HRLD40N04K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 620 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: DPAK

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HRLD40N04K datasheet

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HRLD40N04K

March 2018 HRLD40N04K 40V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit High Dense Cell Design, Logic Level BVDSS 40 V Reliable and Rugged ID (Silicon Limited) 130 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 3.3 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ @4.5V 4.0 m Application Package & Internal Circuit

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