HRLD40N04K Todos los transistores

 

HRLD40N04K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HRLD40N04K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 620 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de HRLD40N04K MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HRLD40N04K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:853K  semihow
 hrld40n04k.pdf pdf_icon

HRLD40N04K

March 2018 HRLD40N04K 40V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit High Dense Cell Design, Logic Level BVDSS 40 V Reliable and Rugged ID (Silicon Limited) 130 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 3.3 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ @4.5V 4.0 m Application Package & Internal Circuit

Otros transistores... HRF140N06K , HRF85N08K , HRLD125N06K , HRLD150N10K , HRLD1B8N10K , HRLD250N10K , HRLD33N03K , HRLD370N10K , IRFP260 , HRLD55N03K , HRLD72N06 , HRLD80N06K , HRLE320N03K , HRLF110N03K , HRLF125N06K , HRLF150N10K , HRLF180N10K .

History: IRF1404ZL | NCEP035N12D

 

 
Back to Top

 


 
.