Справочник MOSFET. HRLD40N04K

 

HRLD40N04K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HRLD40N04K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для HRLD40N04K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLD40N04K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:853K  semihow
 hrld40n04k.pdf pdf_icon

HRLD40N04K

March 2018 HRLD40N04K 40V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit High Dense Cell Design, Logic Level BVDSS 40 V Reliable and Rugged ID (Silicon Limited) 130 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 3.3 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ @4.5V 4.0 m Application Package & Internal Circuit

Другие MOSFET... HRF140N06K , HRF85N08K , HRLD125N06K , HRLD150N10K , HRLD1B8N10K , HRLD250N10K , HRLD33N03K , HRLD370N10K , AO3400 , HRLD55N03K , HRLD72N06 , HRLD80N06K , HRLE320N03K , HRLF110N03K , HRLF125N06K , HRLF150N10K , HRLF180N10K .

History: IRF1503PBF

 

 
Back to Top

 


 
.