HRLF110N03K Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HRLF110N03K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: 8DFN5X6

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HRLF110N03K datasheet

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HRLF110N03K

July 2017 HRLF110N03K 30V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design, Logic Level BVDSS 30 V Reliable and Rugged ID 42 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 9.0 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ @4.5V 13.0 m Lead free, Halogen Free Application Package & Internal Ci

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HRLF110N03K

Jan 2016 HRLF150N10K 100V N-Channel Trench MOSFET 8DFN 5x6 FEATURES BVDSS = 100 V ID = 50 A 1 Unrivalled Gate Charge 80 nC (Typ.) Lower RDS(ON) 13 (Typ.) @VGS=10V Lower RDS(ON) 14 (Typ.) @VGS=4.5V 100% Avalanche Tested Absolute Maximum Ratings TJ=25 unless otherwise specified Symbol Parameter Value Units VDSS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage

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HRLF110N03K

July 2017 HRLF190N03K 30V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design, Logic Level BVDSS 30 V Reliable and Rugged ID 31 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 16 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ @4.5V 20 m Lead free, Halogen Free Application Package & Internal Circu

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HRLF110N03K

Jan 2016 HRLF180N10K 100V N-Channel Trench MOSFET 8DFN 5x6 FEATURES BVDSS = 100 V ID = 40 A 1 Unrivalled Gate Charge 94 nC (Typ.) Lower RDS(ON) 16 (Typ.) @VGS=10V Lower RDS(ON) 17 (Typ.) @VGS=4.5V 100% Avalanche Tested Absolute Maximum Ratings TJ=25 unless otherwise specified Symbol Parameter Value Units VDSS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage

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