HRLF125N06K Todos los transistores

 

HRLF125N06K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HRLF125N06K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm
   Paquete / Cubierta: 8DFN5X6
     - Selección de transistores por parámetros

 

HRLF125N06K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  semihow
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HRLF125N06K

Jan 2016HRLF125N06K60V N-Channel Trench MOSFET8DFN 5x6FEATURES BVDSS = 60 V ID = 52 A1 Unrivalled Gate Charge : 50 nC (Typ.) Lower RDS(ON) : 10 (Typ.) @VGS=10V Lower RDS(ON) : 12 (Typ.) @VGS=4.5V 100% Avalanche TestedAbsolute Maximum Ratings TJ=25 unless otherwise specifiedSymbol Parameter Value UnitsVDSS Drain-Source Voltage 60 VVGS Gate-Source Voltage 2

 9.1. Size:228K  semihow
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HRLF125N06K

Jan 2016HRLF150N10K100V N-Channel Trench MOSFET8DFN 5x6FEATURES BVDSS = 100 V ID = 50 A1 Unrivalled Gate Charge : 80 nC (Typ.) Lower RDS(ON) : 13 (Typ.) @VGS=10V Lower RDS(ON) : 14 (Typ.) @VGS=4.5V 100% Avalanche TestedAbsolute Maximum Ratings TJ=25 unless otherwise specifiedSymbol Parameter Value UnitsVDSS Drain-Source Voltage 100 VVGS Gate-Source Voltage

 9.2. Size:715K  semihow
 hrlf190n03k.pdf pdf_icon

HRLF125N06K

July 2017 HRLF190N03K 30V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design, Logic Level BVDSS 30 V Reliable and Rugged ID 31 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 16 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ @4.5V 20 m Lead free, Halogen Free Application Package & Internal Circu

 9.3. Size:775K  semihow
 hrlf110n03k.pdf pdf_icon

HRLF125N06K

July 2017 HRLF110N03K 30V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design, Logic Level BVDSS 30 V Reliable and Rugged ID 42 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 9.0 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ @4.5V 13.0 m Lead free, Halogen Free Application Package & Internal Ci

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History: STW45N60DM6 | STP8NS25FP | KP746B1 | AP4407GS-HF | TMPF11N50SG | IPW65R280E6 | STL6N3LLH6

 

 
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