HRLF125N06K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRLF125N06K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm

Тип корпуса: 8DFN5X6

Аналог (замена) для HRLF125N06K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLF125N06K даташит

 ..1. Size:184K  semihow
 hrlf125n06k.pdf pdf_icon

HRLF125N06K

Jan 2016 HRLF125N06K 60V N-Channel Trench MOSFET 8DFN 5x6 FEATURES BVDSS = 60 V ID = 52 A 1 Unrivalled Gate Charge 50 nC (Typ.) Lower RDS(ON) 10 (Typ.) @VGS=10V Lower RDS(ON) 12 (Typ.) @VGS=4.5V 100% Avalanche Tested Absolute Maximum Ratings TJ=25 unless otherwise specified Symbol Parameter Value Units VDSS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage 2

 9.1. Size:228K  semihow
 hrlf150n10k.pdf pdf_icon

HRLF125N06K

Jan 2016 HRLF150N10K 100V N-Channel Trench MOSFET 8DFN 5x6 FEATURES BVDSS = 100 V ID = 50 A 1 Unrivalled Gate Charge 80 nC (Typ.) Lower RDS(ON) 13 (Typ.) @VGS=10V Lower RDS(ON) 14 (Typ.) @VGS=4.5V 100% Avalanche Tested Absolute Maximum Ratings TJ=25 unless otherwise specified Symbol Parameter Value Units VDSS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage

 9.2. Size:715K  semihow
 hrlf190n03k.pdf pdf_icon

HRLF125N06K

July 2017 HRLF190N03K 30V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design, Logic Level BVDSS 30 V Reliable and Rugged ID 31 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 16 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ @4.5V 20 m Lead free, Halogen Free Application Package & Internal Circu

 9.3. Size:775K  semihow
 hrlf110n03k.pdf pdf_icon

HRLF125N06K

July 2017 HRLF110N03K 30V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design, Logic Level BVDSS 30 V Reliable and Rugged ID 42 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 9.0 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ @4.5V 13.0 m Lead free, Halogen Free Application Package & Internal Ci

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HRLD33N03K, HRLD370N10K, HRLD40N04K, HRLD55N03K, HRLD72N06, HRLD80N06K, HRLE320N03K, HRLF110N03K, K4145, HRLF150N10K, HRLF180N10K, HRLF190N03K, HRLF33N03K, HRLF55N03K, HRLF72N06, HRLF80N06K, HRLFS136N10P