HRLF33N03K Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HRLF33N03K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm

Encapsulados: 8DFN5X6

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HRLF33N03K datasheet

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HRLF33N03K

August 2018 HRLF33N03K 30V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design, Logic Level BVDSS 30 V Reliable and Rugged ID (Silicon Limited) 85 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 2.7 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ @4.5V 3.2 m Application Package & Internal Circuit

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