HRLF33N03K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HRLF33N03K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm
Paquete / Cubierta: 8DFN5X6
Búsqueda de reemplazo de HRLF33N03K MOSFET
HRLF33N03K Datasheet (PDF)
hrlf33n03k.pdf

August 2018 HRLF33N03K 30V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design, Logic Level BVDSS 30 V Reliable and Rugged ID (Silicon Limited) 85 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 2.7 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ @4.5V 3.2 m Application Package & Internal Circuit
Otros transistores... HRLD72N06 , HRLD80N06K , HRLE320N03K , HRLF110N03K , HRLF125N06K , HRLF150N10K , HRLF180N10K , HRLF190N03K , 4435 , HRLF55N03K , HRLF72N06 , HRLF80N06K , HRLFS136N10P , HRLFS190N03K , HRLFS55N03K , HRLFS72N06P , HRLFS90N03K .
History: HX3400 | 2SK3557-7-TB-E | PSMN012-60YS | SIHFP21N60L | 2SK187 | 2SJ378 | IXTM4N100A
History: HX3400 | 2SK3557-7-TB-E | PSMN012-60YS | SIHFP21N60L | 2SK187 | 2SJ378 | IXTM4N100A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor | b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678