Справочник MOSFET. HRLF33N03K

 

HRLF33N03K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HRLF33N03K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
   Тип корпуса: 8DFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLF33N03K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:568K  semihow
 hrlf33n03k.pdf pdf_icon

HRLF33N03K

August 2018 HRLF33N03K 30V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design, Logic Level BVDSS 30 V Reliable and Rugged ID (Silicon Limited) 85 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 2.7 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ @4.5V 3.2 m Application Package & Internal Circuit

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SML501R1BN | AP4604IN | 2SK1471 | IRL8113LPBF | 2SK1637 | IRLSZ34A | STD14NM50N

 

 
Back to Top

 


 
.