Справочник MOSFET. HRLF33N03K

 

HRLF33N03K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HRLF33N03K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
   Тип корпуса: 8DFN5X6
 

 Аналог (замена) для HRLF33N03K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLF33N03K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:568K  semihow
 hrlf33n03k.pdf pdf_icon

HRLF33N03K

August 2018 HRLF33N03K 30V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design, Logic Level BVDSS 30 V Reliable and Rugged ID (Silicon Limited) 85 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 2.7 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ @4.5V 3.2 m Application Package & Internal Circuit

Другие MOSFET... HRLD72N06 , HRLD80N06K , HRLE320N03K , HRLF110N03K , HRLF125N06K , HRLF150N10K , HRLF180N10K , HRLF190N03K , 4435 , HRLF55N03K , HRLF72N06 , HRLF80N06K , HRLFS136N10P , HRLFS190N03K , HRLFS55N03K , HRLFS72N06P , HRLFS90N03K .

History: SHD231006 | AO4705

 

 
Back to Top

 


 
.