HRLF55N03K Todos los transistores

 

HRLF55N03K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HRLF55N03K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 315 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: 8DFN5X6
 

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HRLF55N03K Datasheet (PDF)

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HRLF55N03K

Jan 2016HRLF55N03K30V N-Channel Trench MOSFET8DFN 5x6FEATURES BVDSS = 30 V ID = 65 A1 Unrivalled Gate Charge : 50 nC (Typ.) Lower RDS(ON) : 4.2 (Typ.) @VGS=10V Lower RDS(ON) : 7.5 (Typ.) @VGS=4.5V 100% Avalanche TestedAbsolute Maximum Ratings TJ=25 unless otherwise specifiedSymbol Parameter Value UnitsVDSS Drain-Source Voltage 30 VVGS Gate-Source Voltage

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History: 2P829E9 | IXTM4N45 | SWD10N65K | 2SJ288 | SI7358ADP | CS7233 | PHP23NQ11T

 

 
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