HRLF55N03K Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HRLF55N03K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 315 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm

Encapsulados: 8DFN5X6

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HRLF55N03K datasheet

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HRLF55N03K

Jan 2016 HRLF55N03K 30V N-Channel Trench MOSFET 8DFN 5x6 FEATURES BVDSS = 30 V ID = 65 A 1 Unrivalled Gate Charge 50 nC (Typ.) Lower RDS(ON) 4.2 (Typ.) @VGS=10V Lower RDS(ON) 7.5 (Typ.) @VGS=4.5V 100% Avalanche Tested Absolute Maximum Ratings TJ=25 unless otherwise specified Symbol Parameter Value Units VDSS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage

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