Справочник MOSFET. HRLF55N03K

 

HRLF55N03K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HRLF55N03K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: 8DFN5X6
 

 Аналог (замена) для HRLF55N03K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLF55N03K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:232K  semihow
 hrlf55n03k.pdf pdf_icon

HRLF55N03K

Jan 2016HRLF55N03K30V N-Channel Trench MOSFET8DFN 5x6FEATURES BVDSS = 30 V ID = 65 A1 Unrivalled Gate Charge : 50 nC (Typ.) Lower RDS(ON) : 4.2 (Typ.) @VGS=10V Lower RDS(ON) : 7.5 (Typ.) @VGS=4.5V 100% Avalanche TestedAbsolute Maximum Ratings TJ=25 unless otherwise specifiedSymbol Parameter Value UnitsVDSS Drain-Source Voltage 30 VVGS Gate-Source Voltage

Другие MOSFET... HRLD80N06K , HRLE320N03K , HRLF110N03K , HRLF125N06K , HRLF150N10K , HRLF180N10K , HRLF190N03K , HRLF33N03K , IRF530 , HRLF72N06 , HRLF80N06K , HRLFS136N10P , HRLFS190N03K , HRLFS55N03K , HRLFS72N06P , HRLFS90N03K , HRLO110N03K .

History: HYG065N15NS1P | SFB083N80CC2 | IRF7456PBF-1 | SSF1122 | NVBLS1D1N08H | HSP3105 | STF5N80K5

 

 
Back to Top

 


 
.