HRLF55N03K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRLF55N03K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: 8DFN5X6

Аналог (замена) для HRLF55N03K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLF55N03K даташит

 ..1. Size:232K  semihow
 hrlf55n03k.pdf pdf_icon

HRLF55N03K

Jan 2016 HRLF55N03K 30V N-Channel Trench MOSFET 8DFN 5x6 FEATURES BVDSS = 30 V ID = 65 A 1 Unrivalled Gate Charge 50 nC (Typ.) Lower RDS(ON) 4.2 (Typ.) @VGS=10V Lower RDS(ON) 7.5 (Typ.) @VGS=4.5V 100% Avalanche Tested Absolute Maximum Ratings TJ=25 unless otherwise specified Symbol Parameter Value Units VDSS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage

Другие IGBT... HRLD80N06K, HRLE320N03K, HRLF110N03K, HRLF125N06K, HRLF150N10K, HRLF180N10K, HRLF190N03K, HRLF33N03K, IRF1010E, HRLF72N06, HRLF80N06K, HRLFS136N10P, HRLFS190N03K, HRLFS55N03K, HRLFS72N06P, HRLFS90N03K, HRLO110N03K