HRLF55N03K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HRLF55N03K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
Тип корпуса: 8DFN5X6
Аналог (замена) для HRLF55N03K
HRLF55N03K Datasheet (PDF)
hrlf55n03k.pdf

Jan 2016HRLF55N03K30V N-Channel Trench MOSFET8DFN 5x6FEATURES BVDSS = 30 V ID = 65 A1 Unrivalled Gate Charge : 50 nC (Typ.) Lower RDS(ON) : 4.2 (Typ.) @VGS=10V Lower RDS(ON) : 7.5 (Typ.) @VGS=4.5V 100% Avalanche TestedAbsolute Maximum Ratings TJ=25 unless otherwise specifiedSymbol Parameter Value UnitsVDSS Drain-Source Voltage 30 VVGS Gate-Source Voltage
Другие MOSFET... HRLD80N06K , HRLE320N03K , HRLF110N03K , HRLF125N06K , HRLF150N10K , HRLF180N10K , HRLF190N03K , HRLF33N03K , TK10A60D , HRLF72N06 , HRLF80N06K , HRLFS136N10P , HRLFS190N03K , HRLFS55N03K , HRLFS72N06P , HRLFS90N03K , HRLO110N03K .
History: DMP3028LSD | UPA2820T1S
History: DMP3028LSD | UPA2820T1S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor | b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678 | irf4115