HRLF80N06K Todos los transistores

 

HRLF80N06K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HRLF80N06K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: 8DFN5X6
 

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HRLF80N06K Datasheet (PDF)

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HRLF80N06K

Jan 2016HRLF80N06K60V N-Channel Trench MOSFET8DFN 5x6FEATURES BVDSS = 60 V ID = 70 A1 Unrivalled Gate Charge : 100 nC (Typ.) Lower RDS(ON) : 6.3 (Typ.) @VGS=10V Lower RDS(ON) : 7.5 (Typ.) @VGS=4.5V 100% Avalanche TestedAbsolute Maximum Ratings TJ=25 unless otherwise specifiedSymbol Parameter Value UnitsVDSS Drain-Source Voltage 60 VVGS Gate-Source Voltage

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History: SFR9024TM | WMO10N105C2 | JCS24N50ABH | SSSF11NS65UF | WML9N90D1B | STP15N95K5 | SI3812DV

 

 
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