Справочник MOSFET. HRLF80N06K

 

HRLF80N06K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HRLF80N06K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: 8DFN5X6
 

 Аналог (замена) для HRLF80N06K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLF80N06K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  semihow
 hrlf80n06k.pdf pdf_icon

HRLF80N06K

Jan 2016HRLF80N06K60V N-Channel Trench MOSFET8DFN 5x6FEATURES BVDSS = 60 V ID = 70 A1 Unrivalled Gate Charge : 100 nC (Typ.) Lower RDS(ON) : 6.3 (Typ.) @VGS=10V Lower RDS(ON) : 7.5 (Typ.) @VGS=4.5V 100% Avalanche TestedAbsolute Maximum Ratings TJ=25 unless otherwise specifiedSymbol Parameter Value UnitsVDSS Drain-Source Voltage 60 VVGS Gate-Source Voltage

Другие MOSFET... HRLF110N03K , HRLF125N06K , HRLF150N10K , HRLF180N10K , HRLF190N03K , HRLF33N03K , HRLF55N03K , HRLF72N06 , IRLZ44N , HRLFS136N10P , HRLFS190N03K , HRLFS55N03K , HRLFS72N06P , HRLFS90N03K , HRLO110N03K , HRLO125N06K , HRLO180N10K .

History: AP4953 | IPI037N08N3 | IRL3715ZPBF | IRF3610S | IPD122N10N3 | 4414 | APT4025BN

 

 
Back to Top

 


 
.