Справочник MOSFET. HRLF80N06K

 

HRLF80N06K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HRLF80N06K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: 8DFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLF80N06K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  semihow
 hrlf80n06k.pdf pdf_icon

HRLF80N06K

Jan 2016HRLF80N06K60V N-Channel Trench MOSFET8DFN 5x6FEATURES BVDSS = 60 V ID = 70 A1 Unrivalled Gate Charge : 100 nC (Typ.) Lower RDS(ON) : 6.3 (Typ.) @VGS=10V Lower RDS(ON) : 7.5 (Typ.) @VGS=4.5V 100% Avalanche TestedAbsolute Maximum Ratings TJ=25 unless otherwise specifiedSymbol Parameter Value UnitsVDSS Drain-Source Voltage 60 VVGS Gate-Source Voltage

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: STI6N95K5 | IRF3610S | SVF2N70D | ME3920D | MMF60R290PTH | SFM9110TF | IRLR3714ZPBF

 

 
Back to Top

 


 
.