HRLF80N06K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRLF80N06K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 100 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: 8DFN5X6

Аналог (замена) для HRLF80N06K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLF80N06K даташит

 ..1. Size:184K  semihow
 hrlf80n06k.pdf pdf_icon

HRLF80N06K

Jan 2016 HRLF80N06K 60V N-Channel Trench MOSFET 8DFN 5x6 FEATURES BVDSS = 60 V ID = 70 A 1 Unrivalled Gate Charge 100 nC (Typ.) Lower RDS(ON) 6.3 (Typ.) @VGS=10V Lower RDS(ON) 7.5 (Typ.) @VGS=4.5V 100% Avalanche Tested Absolute Maximum Ratings TJ=25 unless otherwise specified Symbol Parameter Value Units VDSS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage

Другие IGBT... HRLF110N03K, HRLF125N06K, HRLF150N10K, HRLF180N10K, HRLF190N03K, HRLF33N03K, HRLF55N03K, HRLF72N06, AON6380, HRLFS136N10P, HRLFS190N03K, HRLFS55N03K, HRLFS72N06P, HRLFS90N03K, HRLO110N03K, HRLO125N06K, HRLO180N10K