HRLFS136N10P Todos los transistores

 

HRLFS136N10P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HRLFS136N10P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 61 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 27.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0136 Ohm
   Paquete / Cubierta: 8DFN3X3
 

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HRLFS136N10P Datasheet (PDF)

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HRLFS136N10P

May 2020HRLFS136N10P100V N-Channel Trench MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit High Speed Power Switching, Logic LevelBVDSS 100 V Enhanced Body diode dv/dt capabilityID 48 A Enhanced Avalanche RuggednessRDS(on), typ @10V 11.3 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead free, Halogen FreeRDS(on), typ @4.5V 16.7 mApplicationPackage & Intern

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HRLFS136N10P

Jan 2016HRLFS190N03K30V N-Channel Trench MOSFET8DFN 3x3FEATURES BVDSS = 30 V ID = 28 A1 Unrivalled Gate Charge : 12 nC (Typ.) Lower RDS(ON) : 16 (Typ.) @VGS=10V Lower RDS(ON) : 20 (Typ.) @VGS=4.5V 100% Avalanche TestedAbsolute Maximum Ratings TJ=25 unless otherwise specifiedSymbol Parameter Value UnitsVDSS Drain-Source Voltage 30 VVGS Gate-Source Voltage

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HRLFS136N10P

March 2020HRLFS72N06P65V N-Channel Trench MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value UnitHigh Speed Power Switching, Logic LevelBVDSS 65 VEnhanced Body diode dv/dt capabilityID 58 AEnhanced Avalanche RuggednessRDS(on), typ @10V 6.0 m100% UIS Tested, 100% Rg TestedRDS(on), typ @4.5V 9.6 mLead free, Halogen FreeApplicationPackage & Internal CircuitSynchronous

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HRLFS136N10P

Feb 2020HRLFS55N03K30V N-Channel Trench MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value UnitLow Dense Cell Design, Logic LevelBVDSS 30 VReliable and RuggedID 66 AAdvanced Trench Process TechnologyRDS(on), typ @10V 4.2 m100% UIS Tested, 100% Rg TestedRDS(on), typ @4.5V 5.7 mLead free, Halogen FreeApplicationPackage & Internal CircuitPower Management in Inverter S

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History: HY3210PM | WMM07N100C2 | FDP020N06B

 

 
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