HRLFS136N10P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HRLFS136N10P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 61 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0136 Ohm

Encapsulados: 8DFN3X3

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HRLFS136N10P datasheet

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HRLFS136N10P

May 2020 HRLFS136N10P 100V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit High Speed Power Switching, Logic Level BVDSS 100 V Enhanced Body diode dv/dt capability ID 48 A Enhanced Avalanche Ruggedness RDS(on), typ @10V 11.3 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead free, Halogen Free RDS(on), typ @4.5V 16.7 m Application Package & Intern

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HRLFS136N10P

Jan 2016 HRLFS190N03K 30V N-Channel Trench MOSFET 8DFN 3x3 FEATURES BVDSS = 30 V ID = 28 A 1 Unrivalled Gate Charge 12 nC (Typ.) Lower RDS(ON) 16 (Typ.) @VGS=10V Lower RDS(ON) 20 (Typ.) @VGS=4.5V 100% Avalanche Tested Absolute Maximum Ratings TJ=25 unless otherwise specified Symbol Parameter Value Units VDSS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage

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HRLFS136N10P

March 2020 HRLFS72N06P 65V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit High Speed Power Switching, Logic Level BVDSS 65 V Enhanced Body diode dv/dt capability ID 58 A Enhanced Avalanche Ruggedness RDS(on), typ @10V 6.0 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ @4.5V 9.6 m Lead free, Halogen Free Application Package & Internal Circuit Synchronous

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HRLFS136N10P

Feb 2020 HRLFS55N03K 30V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design, Logic Level BVDSS 30 V Reliable and Rugged ID 66 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 4.2 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ @4.5V 5.7 m Lead free, Halogen Free Application Package & Internal Circuit Power Management in Inverter S

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