Справочник MOSFET. HRLFS136N10P

 

HRLFS136N10P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HRLFS136N10P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 61 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 27.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0136 Ohm
   Тип корпуса: 8DFN3X3

 Аналог (замена) для HRLFS136N10P

 

 

HRLFS136N10P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:417K  semihow
 hrlfs136n10p.pdf

HRLFS136N10P HRLFS136N10P

May 2020HRLFS136N10P100V N-Channel Trench MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit High Speed Power Switching, Logic LevelBVDSS 100 V Enhanced Body diode dv/dt capabilityID 48 A Enhanced Avalanche RuggednessRDS(on), typ @10V 11.3 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead free, Halogen FreeRDS(on), typ @4.5V 16.7 mApplicationPackage & Intern

 8.1. Size:239K  semihow
 hrlfs190n03k.pdf

HRLFS136N10P HRLFS136N10P

Jan 2016HRLFS190N03K30V N-Channel Trench MOSFET8DFN 3x3FEATURES BVDSS = 30 V ID = 28 A1 Unrivalled Gate Charge : 12 nC (Typ.) Lower RDS(ON) : 16 (Typ.) @VGS=10V Lower RDS(ON) : 20 (Typ.) @VGS=4.5V 100% Avalanche TestedAbsolute Maximum Ratings TJ=25 unless otherwise specifiedSymbol Parameter Value UnitsVDSS Drain-Source Voltage 30 VVGS Gate-Source Voltage

 9.1. Size:369K  semihow
 hrlfs72n06p.pdf

HRLFS136N10P HRLFS136N10P

March 2020HRLFS72N06P65V N-Channel Trench MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value UnitHigh Speed Power Switching, Logic LevelBVDSS 65 VEnhanced Body diode dv/dt capabilityID 58 AEnhanced Avalanche RuggednessRDS(on), typ @10V 6.0 m100% UIS Tested, 100% Rg TestedRDS(on), typ @4.5V 9.6 mLead free, Halogen FreeApplicationPackage & Internal CircuitSynchronous

 9.2. Size:453K  semihow
 hrlfs55n03k.pdf

HRLFS136N10P HRLFS136N10P

Feb 2020HRLFS55N03K30V N-Channel Trench MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value UnitLow Dense Cell Design, Logic LevelBVDSS 30 VReliable and RuggedID 66 AAdvanced Trench Process TechnologyRDS(on), typ @10V 4.2 m100% UIS Tested, 100% Rg TestedRDS(on), typ @4.5V 5.7 mLead free, Halogen FreeApplicationPackage & Internal CircuitPower Management in Inverter S

 9.3. Size:586K  semihow
 hrlfs90n03k.pdf

HRLFS136N10P HRLFS136N10P

June 2017 HRLFS90N03K 30V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design, Logic Level BVDSS 30 V Reliable and Rugged ID 38 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 9.0 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ @4.5V 13.0 m Lead free, Halogen Free Application Package & Internal Ci

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top