HRLO250N10K Todos los transistores

 

HRLO250N10K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HRLO250N10K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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HRLO250N10K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:246K  semihow
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HRLO250N10K

Jan 2016HRLO250N10K100V N-Channel Trench MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit High Dense Cell DesignBVDSS 100 V Reliable and RuggedID 7.9 A Advanced Trench Process TechnologyRDS(on), typ @10V 20 RDS(on), typ @4.5V 22 ApplicationPackage & Internal Circuit Power Management in Inverter SystemSOP-8 Synchronous RectificationAbsolute Maximum Ratings

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History: SWNC4N65DC | NCEP0140AL | DMTH6004SCTB | FDP150N10A | AOC3868 | SVFP7N70MJ | IPW90R800C3

 

 
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