Справочник MOSFET. HRLO250N10K

 

HRLO250N10K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HRLO250N10K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для HRLO250N10K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLO250N10K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:246K  semihow
 hrlo250n10k.pdf pdf_icon

HRLO250N10K

Jan 2016HRLO250N10K100V N-Channel Trench MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit High Dense Cell DesignBVDSS 100 V Reliable and RuggedID 7.9 A Advanced Trench Process TechnologyRDS(on), typ @10V 20 RDS(on), typ @4.5V 22 ApplicationPackage & Internal Circuit Power Management in Inverter SystemSOP-8 Synchronous RectificationAbsolute Maximum Ratings

Другие MOSFET... HRLFS136N10P , HRLFS190N03K , HRLFS55N03K , HRLFS72N06P , HRLFS90N03K , HRLO110N03K , HRLO125N06K , HRLO180N10K , 18N50 , HRLO72N06 , HRLP125N06K , HRLP150N10K , HRLP250N10K , HRLP33N03K , HRLP370N10K , HRLP40N04K , HRLP55N03K .

History: AM10N30-600I | NTMS5P02R2SG | SI4831DY

 

 
Back to Top

 


 
.