HRLO250N10K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRLO250N10K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для HRLO250N10K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLO250N10K даташит

 ..1. Size:246K  semihow
 hrlo250n10k.pdf pdf_icon

HRLO250N10K

Jan 2016 HRLO250N10K 100V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit High Dense Cell Design BVDSS 100 V Reliable and Rugged ID 7.9 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 20 RDS(on), typ @4.5V 22 Application Package & Internal Circuit Power Management in Inverter System SOP-8 Synchronous Rectification Absolute Maximum Ratings

Другие IGBT... HRLFS136N10P, HRLFS190N03K, HRLFS55N03K, HRLFS72N06P, HRLFS90N03K, HRLO110N03K, HRLO125N06K, HRLO180N10K, BS170, HRLO72N06, HRLP125N06K, HRLP150N10K, HRLP250N10K, HRLP33N03K, HRLP370N10K, HRLP40N04K, HRLP55N03K