HRLP370N10K Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HRLP370N10K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de HRLP370N10K MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HRLP370N10K datasheet

 ..1. Size:146K  semihow
 hrlp370n10k.pdf pdf_icon

HRLP370N10K

Oct 2016 BVDSS = 100 V RDS(on) typ = 30 HRLP370N10K ID = 25 A 100V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 53 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 30 (Typ.) @VGS=10V Lower RDS(ON) 33 (T

 9.1. Size:779K  semihow
 hrlp33n03k.pdf pdf_icon

HRLP370N10K

Sep 2018 HRLP33N03K 30V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design, Logic Level BVDSS 30 V Reliable and Rugged ID (Silicon Limited) 150 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 2.7 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ @4.5V 3.2 m Application Package & Internal Circuit Po

Otros transistores... HRLO125N06K, HRLO180N10K, HRLO250N10K, HRLO72N06, HRLP125N06K, HRLP150N10K, HRLP250N10K, HRLP33N03K, 5N60, HRLP40N04K, HRLP55N03K, HRLP72N06, HRLP80N06K, HRLT1B0N10K, HRLU125N06K, HRLU150N10K, HRLU1B8N10K