Справочник MOSFET. HRLP370N10K

 

HRLP370N10K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HRLP370N10K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HRLP370N10K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLP370N10K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:146K  semihow
 hrlp370n10k.pdf pdf_icon

HRLP370N10K

Oct 2016BVDSS = 100 VRDS(on) typ = 30 HRLP370N10K ID = 25 A100V N-Channel Trench MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 53 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 30 (Typ.) @VGS=10V Lower RDS(ON) : 33 (T

 9.1. Size:779K  semihow
 hrlp33n03k.pdf pdf_icon

HRLP370N10K

Sep 2018 HRLP33N03K 30V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design, Logic Level BVDSS 30 V Reliable and Rugged ID (Silicon Limited) 150 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 2.7 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ @4.5V 3.2 m Application Package & Internal Circuit Po

Другие MOSFET... HRLO125N06K , HRLO180N10K , HRLO250N10K , HRLO72N06 , HRLP125N06K , HRLP150N10K , HRLP250N10K , HRLP33N03K , 13N50 , HRLP40N04K , HRLP55N03K , HRLP72N06 , HRLP80N06K , HRLT1B0N10K , HRLU125N06K , HRLU150N10K , HRLU1B8N10K .

History: FS10ASJ-3 | MTP12P05 | SST80R600S2 | STP170N8F7 | SE10015 | IPI80N04S3-03 | IPI120N10S4-03

 

 
Back to Top

 


 
.