HRP370N10K Todos los transistores

 

HRP370N10K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HRP370N10K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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HRP370N10K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  semihow
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HRP370N10K

Oct 2016BVDSS = 100 VRDS(on) typ = 30 HRP370N10K ID = 25 A100V N-Channel Trench MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 50 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 30 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche TestedA

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History: IPP037N06L3G | STB11N52K3 | HRP85N08K | STP24N60M2 | IPP039N04LG | CS4N60ARRD | STP6NM60N

 

 
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