HRP370N10K Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HRP370N10K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm
Encapsulados: TO220
Búsqueda de reemplazo de HRP370N10K MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
HRP370N10K datasheet
hrp370n10k.pdf
Oct 2016 BVDSS = 100 V RDS(on) typ = 30 HRP370N10K ID = 25 A 100V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 50 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 30 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche Tested A
Otros transistores... HRP100N08K, HRP130N06K, HRP140N06K, HRP180N10K, HRP30N04K, HRP33N04K, HRP35N04K, HRP35N06K, IRF830, HRP40N08K, HRP45N06K, HRP45N08K, HRP56N08K, HRP58N06K, HRP70N06K, HRP72N06K, HRP80N06K
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ | ASDM60N45KQ | ASDM60N30KQ | ASDM540G | ASDM4976S | ASDM4606S | ASDM40R009NQ | ASDM40N80KQ | ASDM40N60KQ
Popular searches
2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet
