HRP370N10K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HRP370N10K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
- Selección de transistores por parámetros
HRP370N10K Datasheet (PDF)
hrp370n10k.pdf

Oct 2016BVDSS = 100 VRDS(on) typ = 30 HRP370N10K ID = 25 A100V N-Channel Trench MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 50 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 30 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche TestedA
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History: STP6NA60FI | AO4914 | SIR496DP | SM2608NSC | BFC23 | 2N60P | IRFR9220
History: STP6NA60FI | AO4914 | SIR496DP | SM2608NSC | BFC23 | 2N60P | IRFR9220



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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