HRP370N10K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HRP370N10K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HRP370N10K

HRP370N10K Datasheet (PDF)

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hrp370n10k.pdf

Oct 2016BVDSS = 100 VRDS(on) typ = 30 HRP370N10K ID = 25 A100V N-Channel Trench MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 50 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 30 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche TestedA

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IPB70N10S3-12

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: