HRP370N10K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRP370N10K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HRP370N10K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRP370N10K даташит

 ..1. Size:185K  semihow
 hrp370n10k.pdf pdf_icon

HRP370N10K

Oct 2016 BVDSS = 100 V RDS(on) typ = 30 HRP370N10K ID = 25 A 100V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 50 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 30 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche Tested A

Другие IGBT... HRP100N08K, HRP130N06K, HRP140N06K, HRP180N10K, HRP30N04K, HRP33N04K, HRP35N04K, HRP35N06K, IRF830, HRP40N08K, HRP45N06K, HRP45N08K, HRP56N08K, HRP58N06K, HRP70N06K, HRP72N06K, HRP80N06K