Справочник MOSFET. HRP370N10K

 

HRP370N10K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HRP370N10K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HRP370N10K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRP370N10K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  semihow
 hrp370n10k.pdf pdf_icon

HRP370N10K

Oct 2016BVDSS = 100 VRDS(on) typ = 30 HRP370N10K ID = 25 A100V N-Channel Trench MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 50 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 30 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche TestedA

Другие MOSFET... HRP100N08K , HRP130N06K , HRP140N06K , HRP180N10K , HRP30N04K , HRP33N04K , HRP35N04K , HRP35N06K , IRF1405 , HRP40N08K , HRP45N06K , HRP45N08K , HRP56N08K , HRP58N06K , HRP70N06K , HRP72N06K , HRP80N06K .

History: NCE40H12I | IPG20N04S4-08 | GSM3911W

 

 
Back to Top

 


 
.