HRP56N08K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HRP56N08K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 272 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 140 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 110 nC
Tiempo de subida (tr): 70 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 620 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0055 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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HRP56N08K Datasheet (PDF)
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March 2017 HRP56N08K 80V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design BVDSS 80 V Reliable and Rugged ID 140 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), Typ 4.4 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Qg, Typ 110 nC Lead free, Halogen Free Application Package & Internal Circuit Power Management in
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