HRP56N08K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HRP56N08K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 272 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для HRP56N08K
HRP56N08K Datasheet (PDF)
hrp56n08k.pdf

March 2017 HRP56N08K 80V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design BVDSS 80 V Reliable and Rugged ID 140 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), Typ 4.4 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Qg, Typ 110 nC Lead free, Halogen Free Application Package & Internal Circuit Power Management in
Другие MOSFET... HRP30N04K , HRP33N04K , HRP35N04K , HRP35N06K , HRP370N10K , HRP40N08K , HRP45N06K , HRP45N08K , HY1906P , HRP58N06K , HRP70N06K , HRP72N06K , HRP80N06K , HRP80N08K , HRP85N06K , HRP85N08K , HRP88N08K .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735