HRP56N08K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRP56N08K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 272 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HRP56N08K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRP56N08K даташит

 ..1. Size:596K  semihow
 hrp56n08k.pdf pdf_icon

HRP56N08K

March 2017 HRP56N08K 80V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design BVDSS 80 V Reliable and Rugged ID 140 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), Typ 4.4 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Qg, Typ 110 nC Lead free, Halogen Free Application Package & Internal Circuit Power Management in

Другие IGBT... HRP30N04K, HRP33N04K, HRP35N04K, HRP35N06K, HRP370N10K, HRP40N08K, HRP45N06K, HRP45N08K, AON7403, HRP58N06K, HRP70N06K, HRP72N06K, HRP80N06K, HRP80N08K, HRP85N06K, HRP85N08K, HRP88N08K