Справочник MOSFET. HRP56N08K

 

HRP56N08K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HRP56N08K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 272 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HRP56N08K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRP56N08K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:596K  semihow
 hrp56n08k.pdf pdf_icon

HRP56N08K

March 2017 HRP56N08K 80V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design BVDSS 80 V Reliable and Rugged ID 140 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), Typ 4.4 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Qg, Typ 110 nC Lead free, Halogen Free Application Package & Internal Circuit Power Management in

Другие MOSFET... HRP30N04K , HRP33N04K , HRP35N04K , HRP35N06K , HRP370N10K , HRP40N08K , HRP45N06K , HRP45N08K , EMB04N03H , HRP58N06K , HRP70N06K , HRP72N06K , HRP80N06K , HRP80N08K , HRP85N06K , HRP85N08K , HRP88N08K .

 

 
Back to Top

 


 
.