HRP56N08K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HRP56N08K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 272 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 140 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 110 nC
Время нарастания (tr): 70 ns
Выходная емкость (Cd): 620 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0055 Ohm
Тип корпуса: TO220
HRP56N08K Datasheet (PDF)
..1. Size:596K semihow
hrp56n08k.pdf
hrp56n08k.pdf
March 2017 HRP56N08K 80V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design BVDSS 80 V Reliable and Rugged ID 140 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), Typ 4.4 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Qg, Typ 110 nC Lead free, Halogen Free Application Package & Internal Circuit Power Management in
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
