HRP85N08K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HRP85N08K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 75 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HRP85N08K

HRP85N08K Datasheet (PDF)

..1. Size:823K semihow
hrp85n08k.pdf

Jan 2015 BVDSS = 80 V RDS(on) typ = 7.0m HRP85N08K ID = 110 A 80V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 75nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 7.0 m (Typ.) @VGS=

7.1. Size:805K semihow
hrp85n06k.pdf

December 2014 BVDSS = 60 V RDS(on) typ = 7 m HRP85N06K ID = 80 A 60V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 73 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 7 m (Typ.) @VG

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: