HRP85N08K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HRP85N08K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.8 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 110 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 75 nC
Время нарастания (tr): 65 ns
Выходная емкость (Cd): 440 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TO220
HRP85N08K Datasheet (PDF)
hrp85n08k.pdf
Jan 2015 BVDSS = 80 V RDS(on) typ = 7.0m HRP85N08K ID = 110 A 80V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 75nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 7.0 m (Typ.) @VGS=
hrp85n06k.pdf
December 2014 BVDSS = 60 V RDS(on) typ = 7 m HRP85N06K ID = 80 A 60V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 73 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 7 m (Typ.) @VG
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
