OSG60R092FF Todos los transistores

 

OSG60R092FF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: OSG60R092FF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 62.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 208.2 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.092 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

OSG60R092FF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:386K  oriental semi
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OSG60R092FF

OSG60R092FF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Generic series is optimized for extreme switch

 5.1. Size:404K  oriental semi
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OSG60R092FF

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History: HM10N10K | AON3806 | P3710BT | SSG4394N | HUF75623P3 | 2N6762JANTX | STS4DPF30L

 

 
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