OSG60R092FF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSG60R092FF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 62.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 208.2 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.092 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de OSG60R092FF MOSFET
OSG60R092FF Datasheet (PDF)
osg60r092ff.pdf

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osg60r092hsf.pdf

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History: AFN3016S | IPD60R1K5CE | CHM4435AZGP | IPD60R380C6 | IXTT6N120 | NTMFS4C054N | TK11A50D
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Liste
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MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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