OSG60R092FF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

OSG60R092FF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: OSG60R092FF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 44.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 62.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 208.2 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.092 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для OSG60R092FF

OSG60R092FF Datasheet (PDF)

..1. Size:386K oriental semi
osg60r092ff.pdf

OSG60R092FF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Generic series is optimized for extreme switch

5.1. Size:404K oriental semi
osg60r092hsf.pdf

OSG60R092HSF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS S series is optimized for its switching chara

5.2. Size:1085K oriental semi
osg60r092hf.pdf