OSG60R092PT3ZF Todos los transistores

 

OSG60R092PT3ZF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: OSG60R092PT3ZF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 220 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 58.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 154 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.092 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

OSG60R092PT3ZF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:979K  oriental semi
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OSG60R092PT3ZF

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OSG60R092PT3ZF

OSG60R092HSF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS S series is optimized for its switching chara

 5.2. Size:1085K  oriental semi
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OSG60R092PT3ZF

 5.3. Size:386K  oriental semi
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OSG60R092PT3ZF

OSG60R092FF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Generic series is optimized for extreme switch

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History: P3506DD | SIHF10N40D | SI2202 | SL4813A

 

 
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