OSG60R092PT3ZF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: OSG60R092PT3ZF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 220 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 64.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 58.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 154 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.092 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET OSG60R092PT3ZF

OSG60R092PT3ZF Datasheet (PDF)

..1. Size:979K oriental semi
osg60r092pt3zf.pdf

5.1. Size:404K oriental semi
osg60r092hsf.pdf

OSG60R092HSF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS S series is optimized for its switching chara

5.2. Size:1085K oriental semi
osg60r092hf.pdf

5.3. Size:386K oriental semi
osg60r092ff.pdf

OSG60R092FF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Generic series is optimized for extreme switch

5.4. Size:934K oriental semi
osg60r092ht3zf.pdf

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Liste

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