OSG60R092PT3ZF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG60R092PT3ZF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 58.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 154 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.092 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для OSG60R092PT3ZF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R092PT3ZF даташит

 ..1. Size:979K  oriental semi
osg60r092pt3zf.pdfpdf_icon

OSG60R092PT3ZF

 5.1. Size:404K  oriental semi
osg60r092hsf.pdfpdf_icon

OSG60R092PT3ZF

OSG60R092HSF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS S series is optimized for its switching chara

 5.2. Size:1085K  oriental semi
osg60r092hf.pdfpdf_icon

OSG60R092PT3ZF

 5.3. Size:386K  oriental semi
osg60r092ff.pdfpdf_icon

OSG60R092PT3ZF

OSG60R092FF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Generic series is optimized for extreme switch

Другие IGBT... OSG60R074HSZF, OSG60R074JT3ZF, OSG60R074KSZF, OSG60R075HSZF, OSG60R092FF, OSG60R092HF, OSG60R092HSF, OSG60R092HT3ZF, IRFP460, OSG60R096FSF, OSG60R096HSF, OSG60R096KSF, OSG60R096PSF, OSG60R099FEZF, OSG60R099FT3F, OSG60R099HEZF, OSG60R099HF