OSG60R099FEZF Todos los transistores

 

OSG60R099FEZF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: OSG60R099FEZF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 261 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 223.8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.099 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

OSG60R099FEZF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:992K  oriental semi
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OSG60R099FEZF

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OSG60R099FEZF

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History: FDS6690AS | S80N08R | AP40N03GS | AOB190A60L | AP2312GN | 2SK3983-01L | SSF20NS60

 

 
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