OSG60R099FEZF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSG60R099FEZF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 261 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 29.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 223.8 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.099 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
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OSG60R099FEZF Datasheet (PDF)
Otros transistores... OSG60R092HF , OSG60R092HSF , OSG60R092HT3ZF , OSG60R092PT3ZF , OSG60R096FSF , OSG60R096HSF , OSG60R096KSF , OSG60R096PSF , IRFB4110 , OSG60R099FT3F , OSG60R099HEZF , OSG60R099HF , OSG60R099HSZF , OSG60R099HT3F , OSG60R099JF , OSG60R099KEZF , OSG60R099KSZF .
History: HGB037N10S | IPI60R099CP | UF740G-TQ2-R | HGB037N10T | TK60A08J1 | PSMN1R7-25YLC | MTDNK2N6
History: HGB037N10S | IPI60R099CP | UF740G-TQ2-R | HGB037N10T | TK60A08J1 | PSMN1R7-25YLC | MTDNK2N6
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