OSG60R099FEZF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: OSG60R099FEZF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 261 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 29.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 223.8 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для OSG60R099FEZF
OSG60R099FEZF Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... OSG60R092HF , OSG60R092HSF , OSG60R092HT3ZF , OSG60R092PT3ZF , OSG60R096FSF , OSG60R096HSF , OSG60R096KSF , OSG60R096PSF , IRF640N , OSG60R099FT3F , OSG60R099HEZF , OSG60R099HF , OSG60R099HSZF , OSG60R099HT3F , OSG60R099JF , OSG60R099KEZF , OSG60R099KSZF .
History: 2SK1850 | RD05MMP1 | SSFM1022 | MTP7P05 | AP0904GH-HF | OSG60R099KEZF | IXFB82N60Q3
History: 2SK1850 | RD05MMP1 | SSFM1022 | MTP7P05 | AP0904GH-HF | OSG60R099KEZF | IXFB82N60Q3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent