Справочник MOSFET. OSG60R099FEZF

 

OSG60R099FEZF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG60R099FEZF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 261 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 29.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 223.8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для OSG60R099FEZF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R099FEZF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:992K  oriental semi
osg60r099fezf.pdfpdf_icon

OSG60R099FEZF

 4.1. Size:957K  oriental semi
osg60r099ft3f.pdfpdf_icon

OSG60R099FEZF

 5.1. Size:1006K  oriental semi
osg60r099pezf.pdfpdf_icon

OSG60R099FEZF

 5.2. Size:945K  oriental semi
osg60r099ht3f.pdfpdf_icon

OSG60R099FEZF

Другие MOSFET... OSG60R092HF , OSG60R092HSF , OSG60R092HT3ZF , OSG60R092PT3ZF , OSG60R096FSF , OSG60R096HSF , OSG60R096KSF , OSG60R096PSF , IRF640N , OSG60R099FT3F , OSG60R099HEZF , OSG60R099HF , OSG60R099HSZF , OSG60R099HT3F , OSG60R099JF , OSG60R099KEZF , OSG60R099KSZF .

History: RJU003N03FRA | PH1330AL | AP2864I-A-HF | IXTH75N10L2

 

 
Back to Top

 


 
.