Справочник MOSFET. OSG60R099FEZF

 

OSG60R099FEZF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG60R099FEZF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 261 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 29.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 223.8 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R099FEZF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:992K  oriental semi
osg60r099fezf.pdfpdf_icon

OSG60R099FEZF

 4.1. Size:957K  oriental semi
osg60r099ft3f.pdfpdf_icon

OSG60R099FEZF

 5.1. Size:1006K  oriental semi
osg60r099pezf.pdfpdf_icon

OSG60R099FEZF

 5.2. Size:945K  oriental semi
osg60r099ht3f.pdfpdf_icon

OSG60R099FEZF

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ZVP0535A

 

 
Back to Top

 


 
.