OSG60R099FEZF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: OSG60R099FEZF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 261 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 29.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 223.8 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для OSG60R099FEZF
OSG60R099FEZF Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... OSG60R092HF , OSG60R092HSF , OSG60R092HT3ZF , OSG60R092PT3ZF , OSG60R096FSF , OSG60R096HSF , OSG60R096KSF , OSG60R096PSF , IRFB4110 , OSG60R099FT3F , OSG60R099HEZF , OSG60R099HF , OSG60R099HSZF , OSG60R099HT3F , OSG60R099JF , OSG60R099KEZF , OSG60R099KSZF .
History: TK5A65D | UF740G-TQ2-R | MTDNK2N6 | HGB037N10S | PSMN1R7-25YLC | TK60A08J1 | IPI60R099CP
History: TK5A65D | UF740G-TQ2-R | MTDNK2N6 | HGB037N10S | PSMN1R7-25YLC | TK60A08J1 | IPI60R099CP
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent












