OSG60R099FEZF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: OSG60R099FEZF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 261 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 29.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 223.8 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для OSG60R099FEZF
OSG60R099FEZF Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... OSG60R092HF , OSG60R092HSF , OSG60R092HT3ZF , OSG60R092PT3ZF , OSG60R096FSF , OSG60R096HSF , OSG60R096KSF , OSG60R096PSF , IRF640N , OSG60R099FT3F , OSG60R099HEZF , OSG60R099HF , OSG60R099HSZF , OSG60R099HT3F , OSG60R099JF , OSG60R099KEZF , OSG60R099KSZF .
History: RJU003N03FRA | PH1330AL | AP2864I-A-HF | IXTH75N10L2
History: RJU003N03FRA | PH1330AL | AP2864I-A-HF | IXTH75N10L2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent