OSG60R099FEZF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG60R099FEZF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 261 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 223.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для OSG60R099FEZF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R099FEZF даташит

 ..1. Size:992K  oriental semi
 osg60r099fezf.pdf pdf_icon

OSG60R099FEZF

 4.1. Size:957K  oriental semi
 osg60r099ft3f.pdf pdf_icon

OSG60R099FEZF

 5.1. Size:1006K  oriental semi
 osg60r099pezf.pdf pdf_icon

OSG60R099FEZF

 5.2. Size:945K  oriental semi
 osg60r099ht3f.pdf pdf_icon

OSG60R099FEZF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OSG60R092HF, OSG60R092HSF, OSG60R092HT3ZF, OSG60R092PT3ZF, OSG60R096FSF, OSG60R096HSF, OSG60R096KSF, OSG60R096PSF, IRFB4110, OSG60R099FT3F, OSG60R099HEZF, OSG60R099HF, OSG60R099HSZF, OSG60R099HT3F, OSG60R099JF, OSG60R099KEZF, OSG60R099KSZF