OSG60R099FT3F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSG60R099FT3F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 39.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 131 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.099 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
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OSG60R099FT3F Datasheet (PDF)
Otros transistores... OSG60R092HSF , OSG60R092HT3ZF , OSG60R092PT3ZF , OSG60R096FSF , OSG60R096HSF , OSG60R096KSF , OSG60R096PSF , OSG60R099FEZF , IRF630 , OSG60R099HEZF , OSG60R099HF , OSG60R099HSZF , OSG60R099HT3F , OSG60R099JF , OSG60R099KEZF , OSG60R099KSZF , OSG60R099KT3F .
History: BUK9E06-55A | IXFH23N80Q | SUM90N08-7M6P | IRF5NJ9540 | FTK100N10P | CHM65A3PAGP | DAMH50N500H
History: BUK9E06-55A | IXFH23N80Q | SUM90N08-7M6P | IRF5NJ9540 | FTK100N10P | CHM65A3PAGP | DAMH50N500H



Liste
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