Справочник MOSFET. OSG60R099FT3F

 

OSG60R099FT3F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG60R099FT3F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 39.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 131 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R099FT3F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:957K  oriental semi
osg60r099ft3f.pdfpdf_icon

OSG60R099FT3F

 4.1. Size:992K  oriental semi
osg60r099fezf.pdfpdf_icon

OSG60R099FT3F

 5.1. Size:1006K  oriental semi
osg60r099pezf.pdfpdf_icon

OSG60R099FT3F

 5.2. Size:945K  oriental semi
osg60r099ht3f.pdfpdf_icon

OSG60R099FT3F

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQD16N25C | FCA16N60N | MTP3N45 | WMB115N15HG4 | IRFSL4410Z | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.