OSG60R099KEZF Todos los transistores

 

OSG60R099KEZF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: OSG60R099KEZF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 261 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 223.8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.099 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
     - Selección de transistores por parámetros

 

OSG60R099KEZF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1007K  oriental semi
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OSG60R099KEZF

 4.1. Size:902K  oriental semi
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OSG60R099KEZF

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OSG60R099KEZF

OSG60R099KSZF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Z series is integrated with fast recove

 5.1. Size:1006K  oriental semi
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OSG60R099KEZF

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History: HUF75329S3S | AON3806 | SM4028NSU | SSG4394N | HUF75623P3 | IRFS730A | STS4DPF30L

 

 
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