OSG60R099KEZF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: OSG60R099KEZF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 261 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 29.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 223.8 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm
Тип корпуса: TO263
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
OSG60R099KEZF Datasheet (PDF)
osg60r099kszf.pdf

OSG60R099KSZF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Z series is integrated with fast recove
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: 2SK2954-MR | CHM4955JGP | LPM3400B3F | ASDM3400 | FL6L5201 | SVF10N80F | 2N6758JANTXV
History: 2SK2954-MR | CHM4955JGP | LPM3400B3F | ASDM3400 | FL6L5201 | SVF10N80F | 2N6758JANTXV



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630