Справочник MOSFET. OSG60R099KEZF

 

OSG60R099KEZF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG60R099KEZF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 261 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 29.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 223.8 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R099KEZF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1007K  oriental semi
osg60r099kezf.pdfpdf_icon

OSG60R099KEZF

 4.1. Size:902K  oriental semi
osg60r099kt3f.pdfpdf_icon

OSG60R099KEZF

 4.2. Size:330K  oriental semi
osg60r099kszf.pdfpdf_icon

OSG60R099KEZF

OSG60R099KSZF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Z series is integrated with fast recove

 5.1. Size:1006K  oriental semi
osg60r099pezf.pdfpdf_icon

OSG60R099KEZF

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SK2954-MR | CHM4955JGP | LPM3400B3F | ASDM3400 | FL6L5201 | SVF10N80F | 2N6758JANTXV

 

 
Back to Top

 


 
.