OSG60R099KEZF datasheet, аналоги, параметры транзистора

OSG60R099KEZF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG60R099KEZF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 261 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 223.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для OSG60R099KEZF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

OSG60R099KEZF даташит

..1. Size:1007K oriental semi
osg60r099kezf.pdf pdf_icon

4.1. Size:902K oriental semi
osg60r099kt3f.pdf pdf_icon

4.2. Size:330K oriental semi
osg60r099kszf.pdf pdf_icon

OSG60R099KSZF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Z series is integrated with fast recove

5.1. Size:1006K oriental semi
osg60r099pezf.pdf pdf_icon