OSG60R108FZF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: OSG60R108FZF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 34 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 30 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 37.1 nC
   Tiempo de subida (tr): 71.1 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 246 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.108 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET OSG60R108FZF

OSG60R108FZF Datasheet (PDF)

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osg60r108fzf.pdf

OSG60R108FZF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Z series is integrated with fast recovery dio

5.1. Size:937K oriental semi
osg60r108kzf.pdf